[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板有效
| 申请号： | 202011212211.3 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112420848B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 赵舒宁;卓毅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底基板和设于所述衬底基板上的栅极层；
其中，所述栅极层的上层部分的功函数与所述栅极层的下层部分的功函数不同，以用于调控所述栅极层的功函数来增大所述氧化物薄膜晶体管的阈值电压；
所述氧化物薄膜晶体管为底栅器件的P型薄膜晶体管，所述栅极层的上层部分掺杂有氢，所述栅极层的上层部分的功函数小于所述栅极层的下层部分的功函数。
2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管还包括：
依次设于所述栅极层之上的栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻挡层和源漏极层。
3.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成栅极层；
对所述栅极层进行表面处理，使所述栅极层的上层部分的功函数与所述栅极层的下层部分的功函数不同，以通过调控所述栅极层的功函数来增大所述氧化物薄膜晶体管的阈值电压；
所述氧化物薄膜晶体管为底栅器件的P型薄膜晶体管，则对所述栅极层进行表面处理，使所述栅极层的上层部分的功函数与所述栅极层的下层部分的功函数不同，具体包括：
对所述栅极层的上层部分掺杂氢，使所述栅极层的上层部分的功函数小于所述栅极层的下层部分的功函数。
4.如权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述栅极层的上层部分掺杂氢，具体包括：
用氢的等离子体轰击所述栅极层的上层部分，以对所述栅极层进行等离子体表面处理。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的氧化物薄膜晶体管，以及在所述氧化物薄膜晶体管的源漏极层之上的钝化层、平坦化层、阳极和像素定义层。
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