[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基板、浅沟槽隔离结构、第一栅极结构、第二栅极结构、第一接触件以及第二接触件。基板具有主动区。浅沟槽隔离结构位于基板中且邻接主动区。第一栅极结构与第二栅极结构位于主动区上，其中第一栅极结构在基板上的垂直投影区及第二栅极结构在基板上的垂直投影区与浅沟槽隔离结构分隔。第一接触件与第二接触件分别位于第一栅极结构与第二栅极结构上。借此，本发明的半导体结构，通过上述的结构，可避免尖角圆化效应的问题，因此可以改善半导体结构的稳定性与效能。