[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011202590.8 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112786692A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 田中香次;上野隆二;氏家正浩 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供能够降低接通电压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：Si衬底(2)；p型阳极层(4)，其设置于Si衬底(2)的表面；阳极电极(5)，其设置于p型阳极层(4)之上；n型阴极层(6)以及p型阴极层(7)，它们在Si衬底(2)的背面以彼此相邻的方式设置；Al合金层(8)，其设置于n型阴极层(6)之上，包含Si；以及Al合金层(9)，其设置于p型阴极层(7)之上，包含Si，n型阴极层(6)的杂质浓度大于或等于1E19cm |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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