[发明专利]一种半导体器件制作方法、半导体器件和三维存储器器件在审
| 申请号： | 202011202492.4 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112466878A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赵婷婷;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制作方法、半导体器件和三维存储器器件，具体涉及半导体集成电路制造领域，其可以改善现有半导体器件制作工艺中伪沟道支撑能力较弱的问题。所述半导体器件制作方法，包括：提供一半成品衬底，所述半成品衬底包括衬底本体、设置在衬底本体上的堆叠层，以及覆盖在堆叠层上的绝缘覆盖层；在所述堆叠层及其上的绝缘覆盖层上形成伪沟道孔；在所述伪沟道孔内形成支撑件，其中，所述支撑件的支撑强度大于氧化物绝缘材料的支撑强度。本发明半导体器件制作方法、半导体器件和三维存储器器件，可以增加伪沟道结构的支撑强度，避免台阶区倾斜和倒塌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 三维 存储器 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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