[发明专利]嵌入式闪存逻辑电路的处理方法在审
| 申请号： | 202011199671.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112259498A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 任小兵;丁浩;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种嵌入式闪存逻辑电路的处理方法，涉及半导体制造领域。该嵌入式闪存逻辑电路的处理方法包括提供一衬底，衬底包括存储区域和逻辑区域，存储区域上形成有闪存器件，衬底中形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离的表面高于衬底表面；去除逻辑区域上残余的闪存膜层，闪存膜层用于制作闪存器件；在衬底表面形成一层薄氧化层；通过干法刻蚀工艺去除衬底表面形成的薄氧化层，逻辑区域中浅沟槽隔离的台阶侧壁形成侧墙；解决了在现有嵌入式闪存器件的逻辑区域，浅沟槽隔离氧化物顶角凹陷较宽、较深的问题；达到了改善嵌入式闪存器件的逻辑区域中浅沟槽隔离氧化物顶角凹陷的宽度和深度，提高窄沟道逻辑器件性能稳定性，降低漏电的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 闪存 逻辑电路 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
