[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011194644.0 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113345882A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 宋炫昇;李光永;李锺弦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一有源图案，位于基底上；第一栅电极，与第一有源图案交叉；一对源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部分中并且分别处于第一栅电极的相对侧处；第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；层间绝缘层，位于源极/漏极图案上；第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案；以及第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上。第一互连层可以包括：第一绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及第一互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在第一绝缘结构上延伸，并且覆盖第一栅极盖图案的在第一有源接触件与第二有源接触件之间的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
