[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202011190865.0 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114446788A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 姜春磊;李敏;林先军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：对所述第一介质材料层进行第一平坦化处理，直至暴露出所述硬掩膜层顶部表面，形成初始层间介质层，所述初始层间介质层表面最低处高于或齐平于所述第一伪栅极顶部表面和所述第二伪栅极顶部表面；去除所述硬掩膜层后，刻蚀所述初始层间介质层，直至去除所述第一区上高于所述第一伪栅极顶部表面的初始层间介质层，形成过渡层间介质层；在所述第一伪栅极、所述第二伪栅极和所述过渡层间介质层顶部表面形成第二介质材料层；采用第二平坦化处理所述第二介质材料层和所述过渡层间介质层，直到暴露出所述第一伪栅极、所述第二伪栅极顶部表面，最终形成具有平坦表面的层间介质层，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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