[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供表面具有堆叠结构的衬底，堆叠结构包括沿远离衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层，在堆叠结构中形成贯穿至衬底的沟道结构；去除牺牲层，以在对应牺牲层的位置形成多个第一通道，各第一通道与沟道结构连通；在第一通道的内表面上顺序形成阻挡层和栅极层，以使阻挡层隔离栅极层与沟道结构，阻挡层包括在内表面上依次叠置的多个高K介质层，至少一个高K介质层的介电常数K1满足3.9～12，其余高K介质层的介电常数大于K1，阻挡层和栅极层作为控制栅结构的组成部分。上述方法保证了器件能够具有读写擦除速度减慢有效地避免了器件耦合效应的增强。