[发明专利]热电子发射阴极及其组成的热电子和离子发射装置在审
| 申请号: | 202011182424.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN114429892A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 李河圣;朴兴雨;朱宁炳;刘金彪;刘青;王垚;张琦辉;李琳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01J37/075 | 分类号: | H01J37/075;H01J37/08;H01J37/317;H01J9/04;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 金铭 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种热电子发射阴极及其组成的热电子和离子发射装置。一种热电子发射阴极,包括:热电子发射基底面;所述热电子发射基底面上分布有多个突起部。本发明提供的阴极具有更大的比表面积,释放热电子的面积更大,可以提高热电子的利用率,延长设备使用寿命。 | ||
| 搜索关键词: | 电子 发射 阴极 及其 组成 离子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011182424.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种含氟烷硫基取代的吡唑衍生物及其合成方法
- 下一篇:轮毂结构及车辆





