[发明专利]热电子发射阴极及其组成的热电子和离子发射装置在审
| 申请号： | 202011182424.6 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114429892A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李河圣;朴兴雨;朱宁炳;刘金彪;刘青;王垚;张琦辉;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/075 | 分类号： | H01J37/075;H01J37/08;H01J37/317;H01J9/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 发射 阴极 及其 组成 离子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种热电子发射阴极，其特征在于，包括：
热电子发射基底面；
所述热电子发射基底面上分布有多个突起部。
2.根据权利要求1所述的热电子发射阴极，其特征在于，所述突起部为多面体。
3.根据权利要求2所述的热电子发射阴极，其特征在于，所述突起部呈正六棱柱形或球形。
4.根据权利要求1所述的热电子发射阴极，其特征在于，所述多个突起部等间距分布。
5.根据权利要求1-4任一项所述的热电子发射阴极，其特征在于，所述突起部的高度为1～5mm。
6.一种热电子发射装置，其特征在于，包括灯丝和权利要求1-5任一项所述的热电子发射阴极；所述热电子发射阴极围绕所述灯丝。
7.根据权利要求6所述的热电子发射装置，其特征在于，还包括用于固定所述热电子发射阴极的夹片。
8.一种离子发生装置，其特征在于，包括权利要求6或7所述的热电子发射装置。
9.权利要求1-5任一项所述的热电子发射阴极的制备方法，其特征在于，包括：采用模具以铸造方式制备所述热电子发射阴极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述铸造之后，对所述突起部进行平滑处理。
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