[发明专利]一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011180879.4 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112531020A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐宁;林科闯;刘成;林育赐;赵杰;何俊蕾;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件，包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布，所述漏极金属与所述p型氮化物结构形成欧姆接触。本发明还公开了上述具有复合漏极结构的氮化物功率器件的制作方法。本发明于漏极引入p型氮化物结构，且漏极金属与p型氮化物结构形成欧姆接触，通过正向偏置时空穴注入，降低沟道电阻，提高器件的峰值电流处理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 结构 氮化物 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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