[发明专利]一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011180879.4 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112531020A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐宁;林科闯;刘成;林育赐;赵杰;何俊蕾;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 结构 氮化物 功率 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布，所述漏极金属与所述p型氮化物结构形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述若干p型氮化物结构为条形结构，沿栅长方向排布，且于栅宽方向的长度小于或等于所述漏极金属。
3.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述若干p型氮化物结构为条形结构，沿栅宽方向排布，且于栅长方向的长度小于或等于所述漏极金属。
4.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述若干p型氮化物结构为块状结构，且等距离间隔排布。
5.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述p型氮化物结构的掺杂浓度为1×1017-1×1021cm-3。
6.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述若干p型氮化物结构的面积占所述漏极金属面积的0.2-0.8。
7.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述p型氮化物结构的材料为p-GaN、p-AlGaN、p-InGaN或p-InAlGaN。
8.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：所述漏极金属的材料包括Ni、Pd、Au和至少包括Ni、Pd、Au之一的合金及化合物。
9.根据权利要求1所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：还包括设于所述栅极金属和势垒层之间的p型氮化物层，所述p型氮化物层与所述p型氮化物结构同层设置。
10.一种权利要求1～9任一项所述的具有复合漏极结构的氮化物功率器件的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
1)提供包括沟道层和势垒层的外延结构，于势垒层上定义漏极区域，于漏极区域内形成若干分立间隔排布的p型氮化物结构；
2)于漏极区域沉积覆盖所述p型氮化物结构的漏极金属，并制备栅极金属。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于：步骤1)中，于势垒层上形成p型氮化物外延层，蚀刻所述p型氮化物外延层形成所述p型氮化物结构；或，通过选区外延工艺于所述漏极区域的部分区域形成所述p型氮化物结构。
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