[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011175738.3 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112151648B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 杨紫琰;龙能文;完亮亮;管子豪 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/26;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 衡滔 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法：包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；在所述电子传输层上，形成金属阴极。该制备方法用以提高量子点发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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