[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011153840.3 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114496735A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵海;盛伟;张婷;赵君红;张彬;张继伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻的器件区和伪图形区，器件区基底上有器件掩膜侧墙，伪图形区基底上有伪掩膜侧墙；在基底上形成填充层，覆盖器件掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；在伪图形区中，刻蚀填充层和部分高度的伪掩膜侧墙，形成剩余伪掩膜侧墙，剩余伪掩膜侧墙和填充层围成沟槽；在沟槽侧壁形成侧壁保护层；刻蚀去除剩余伪掩膜侧墙；去除侧壁保护层；去除填充层；以器件掩膜侧墙为掩膜刻蚀基底。本发明通过两次刻蚀步骤去除伪掩膜侧墙，且在形成侧壁保护层之后，进行第二次刻蚀步骤，在侧壁保护层的保护作用下，降低器件掩膜侧墙被误刻蚀的概率，使得器件掩膜侧墙具有较低的线宽粗糙度，从而提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
