[发明专利]埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器在审
| 申请号： | 202011151832.5 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114388505A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 陆勇;沈宏坤;吴公一 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器。该埋入式字线结构包括：半导体基底、字线沟槽和字线结构。其中，半导体基底设有有源区和浅沟槽，所述浅沟槽将所述有源区隔离。字线沟槽沿第一方向穿过所述有源区。字线结构设于所述字线沟槽中。所述字线结构包括：高介电常数介电层，覆盖于所述字线沟槽的内表面上；多晶硅层，覆盖于所述高介电常数介电层上；功函数层，覆盖于所述多晶硅层上；字线金属层，填充于所述功函数层的远离所述多晶硅层的一侧。本发明的埋入式字线结构可以有效地减少栅极诱导漏电，并显著降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 式字线 结构 及其 制备 方法 动态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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