[发明专利]一种水热法生长铌酸锂单晶薄膜或体单晶的方法在审
| 申请号： | 202011134896.4 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112064117A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;周海涛;王梦霞 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B7/10 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种水热法生长铌酸锂单晶薄膜或体单晶的方法。该方法是在高压釜中，以含锂化合物作为矿化剂，采用温差水热法或降温水热法使铌酸锂溶解并重结晶生长单晶薄膜或体单晶。水热法可以在较低的温度下实现保持铌酸锂化学计量的合成。同时，由于反应环境为液相，十分有利于结晶反应的均匀成核和扩散，产物结晶性能良好。在此制备方法中，可通过引入氧化剂解决晶体中铌元素价态不统一的问题。因此通过水热法可以制备出具备高质量的大面积单晶铌酸锂薄膜，并且有利于减少晶体的点缺陷和铌价态偏离。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水热法 生长 铌酸锂单晶 薄膜 或体 方法 | ||
【主权项】：
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