[发明专利]一种LED芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202011125565.4 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112242467A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;刘英策;邬新根;许艺军 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，该方法包括：在衬底表面形成外延结构；在外延结构背离衬底一侧形成光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，通孔在衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以光刻胶掩膜层为掩膜，依次在通孔内形成金属反射层、覆盖金属反射层的金属阻挡层以及覆盖述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度，从而在提高LED芯片的发光效率，降低LED芯片的电极结构电阻率的基础上，提高金属阻挡层对金属反射层的披覆性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011125565.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
