[发明专利]一种LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述外延结构背离所述衬底一侧形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，所述通孔在所述衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；

以所述光刻胶掩膜层为掩膜，依次在所述通孔内形成金属反射层、覆盖所述金属反射层的金属阻挡层以及覆盖所述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；

其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻胶掩膜层为掩膜，依次在所述通孔内形成金属反射层、覆盖所述金属反射层的金属阻挡层包括：

以所述光刻胶掩膜层为掩膜，在所述外延结构位于所述通孔内的部分的表面蒸镀金属反射层；

以预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述金属反射层的金属阻挡层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述金属阻挡层包括至少两个层叠的金属阻挡单元，沿所述第一方向，所述至少两个层叠的金属阻挡单元中各金属阻挡单元的预设工艺参数逐渐增大；

其中，所述预设工艺参数包括形成速率和工艺温度中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述至少两个层叠的金属阻挡单元中各金属阻挡单元的工艺温度逐渐增大。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，以预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述金属反射层的金属阻挡层包括：

以第一预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述第一预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述金属反射层的第一金属阻挡单元；

以第二预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述第二预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述第一金属阻挡单元的第二金属阻挡单元；

以第三预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述第三预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述第二金属阻挡单元的第三金属阻挡单元；

其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度，所述第二预设温度小于所述第三预设温度。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述至少两个层叠的金属阻挡单元中相邻的金属阻挡单元的工艺温度之间的差值的取值范围为15℃～30℃，包括端点值。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻胶掩膜层为掩膜，在所述通孔内形成覆盖所述金属阻挡层的金属导电层包括：

维持所述第三预设温度，继续以所述光刻胶掩膜层为掩膜，在所述通孔内形成覆盖所述金属阻挡层的金属导电层。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述外延结构背离所述衬底一侧形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，所述通孔在所述衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小包括：

在所述外延结构背离所述衬底一侧形成第一光刻胶层；

利用第一波长的光线对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在所述第一光刻胶层中形成第一通孔；

在所述第一光刻胶层背离所述外延结构一侧形成第二光刻胶层；

利用第二波长的光线对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，在所述第二光刻胶层中形成第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔对应，组成所述光刻胶掩膜层中的通孔；

其中，所述第二波长大于所述第一波长；所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层为负光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为深紫外光刻胶层；所述第二光刻胶层为热敏型光刻胶层。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

以所述光刻胶掩膜层为掩膜，在所述通孔内形成欧姆接触层，所述金属反射层位于所述欧姆接触层背离所述外延结构一侧，且覆盖所述欧姆接触层。