[发明专利]一种LED芯片的制作方法

说明书

本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，该方法包括：在衬底表面形成外延结构；在外延结构背离衬底一侧形成光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，通孔在衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以光刻胶掩膜层为掩膜，依次在通孔内形成金属反射层、覆盖金属反射层的金属阻挡层以及覆盖述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度，从而在提高LED芯片的发光效率，降低LED芯片的电极结构电阻率的基础上，提高金属阻挡层对金属反射层的披覆性。

技术领域

本申请涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种LED芯片的制作方法。

背景技术

半导体发光二极管(LED)是一种固态光源，它是利用半导体P-N结制成的发光器件，具有节能环保、绿色健康等非常明显的优势，在指示、显示、背光等领域得到广泛应用。因此，如何提高半导体发光二极管的发光效率和可靠性是发光二极管领域需要解决的主要问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种LED芯片的制作方法，以提高发光二极管的发光效率和可靠性。

为实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

一种LED芯片的制作方法，包括：

在衬底表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述外延结构背离所述衬底一侧形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，所述通孔在所述衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；

以所述光刻胶掩膜层为掩膜，依次在所述通孔内形成金属反射层、覆盖所述金属反射层的金属阻挡层以及覆盖所述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；

其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度。

可选的，以所述光刻胶掩膜层为掩膜，依次在所述通孔内形成金属反射层、覆盖所述金属反射层的金属阻挡层包括：

以所述光刻胶掩膜层为掩膜，在所述外延结构位于所述通孔内的部分的表面蒸镀金属反射层；

以预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述金属反射层的金属阻挡层。

可选的，所述金属阻挡层包括至少两个层叠的金属阻挡单元，沿所述第一方向，所述至少两个层叠的金属阻挡单元中各金属阻挡单元的预设工艺参数逐渐增大；

其中，所述预设工艺参数包括形成速率和工艺温度中的至少一个。

可选的，所述至少两个层叠的金属阻挡单元中各金属阻挡单元的工艺温度逐渐增大。

可选的，以预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述金属反射层的金属阻挡层包括：

以第一预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述第一预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述金属反射层的第一金属阻挡单元；

以第二预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述第二预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述第一金属阻挡单元的第二金属阻挡单元；

以第三预设温度对所述光刻胶掩膜层进行预热，并在所述第三预设温度下，在所述通孔内形成覆盖所述第二金属阻挡单元的第三金属阻挡单元；

其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度，所述第二预设温度小于所述第三预设温度。