[发明专利]晶圆清洗装置及方法在审
| 申请号： | 202011123693.5 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114388387A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 朴英植;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆清洗装置及方法，该晶圆清洗装置包括：旋转台，用于放置晶圆；清洗液喷嘴，设置在所述晶圆中心位置的上方；可移动加热装置，用于对所述晶圆表面加热；控制器，与所述可移动加热装置相连；在清洗所述晶圆时，所述旋转台带动所述晶圆旋转，所述清洗液喷嘴向所述晶圆中心位置喷洒清洗液，所述控制器控制所述可移动加热装置相对于所述晶圆移动，以对所述晶圆表面特定区域进行加热。上述方案，能够通过改善晶圆表面的温度差异，改善了晶圆片内不同区域温度不同导致的腐蚀速率的差异，确保了晶圆的清洗腐蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
