[发明专利]晶圆清洗装置及方法在审
申请号: | 202011123693.5 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN114388387A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 朴英植;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
本发明公开了一种晶圆清洗装置及方法,该晶圆清洗装置包括:旋转台,用于放置晶圆;清洗液喷嘴,设置在所述晶圆中心位置的上方;可移动加热装置,用于对所述晶圆表面加热;控制器,与所述可移动加热装置相连;在清洗所述晶圆时,所述旋转台带动所述晶圆旋转,所述清洗液喷嘴向所述晶圆中心位置喷洒清洗液,所述控制器控制所述可移动加热装置相对于所述晶圆移动,以对所述晶圆表面特定区域进行加热。上述方案,能够通过改善晶圆表面的温度差异,改善了晶圆片内不同区域温度不同导致的腐蚀速率的差异,确保了晶圆的清洗腐蚀效果。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置及方法。
背景技术
在半导体工艺中,晶圆的清洗和湿法腐蚀是最常用的工艺之一。对晶圆的单片清洗装置通常是将清洗液喷洒到晶圆的中心位置,晶圆在旋转台上高速转动,使得清洗液流动到晶圆表面的各个位置,将晶圆表面进行湿法腐蚀和清洗。
但是现有技术中,对于晶圆表面的不同位置,清洗液对不同位置处的待清洗物的腐蚀速率存在差异,导致晶圆腐蚀效果较差。
发明内容
本申请实施例通过提供一种晶圆清洗装置及方法,解决了现有技术中因晶圆各位置处温度不同导致的腐蚀速率存在差异的技术问题,实现了均衡晶圆各位置处的腐蚀速率从而提高晶圆片内腐蚀均匀性的技术效果。
第一方面,本说明书实施例提供一种一种晶圆清洗装置,该装置包括:
旋转台,用于放置晶圆;
清洗液喷嘴,设置在所述晶圆中心位置的上方;
可移动加热装置,用于对所述晶圆表面加热;
控制器,与所述可移动加热装置相连;
在清洗所述晶圆时,所述旋转台带动所述晶圆旋转,所述清洗液喷嘴向所述晶圆中心位置喷洒清洗液,所述控制器控制所述可移动加热装置相对于所述晶圆移动,以对所述晶圆表面进行加热。
可选地,所述装置还包括:
温度传感器,用于检测所述晶圆中心位置的中心温度,以及检测所述晶圆上目标位置的目标温度,所述目标位置与所述晶圆中心位置不同;
所述控制器,用于在所述中心温度与所述目标温度之间的温度差大于预设值时,控制所述可移动加热装置移动到所述目标位置,以对所述目标位置加热。
可选地,所述可移动加热装置包括加热部件以及用于带动所述加热部件移动的调节部件;
所述控制器,用于在所述中心温度与所述目标温度之间的温度差大于预设值时,调整所述调节部件以带动所述加热部件移动到所述目标位置。
可选地,所述调节部件为可在所述晶圆表面摆动的连接杆,所述连接杆的一端与所述加热部件相连;
所述控制器,用于在所述中心温度与所述目标温度之间的温度差大于预设值时,调节所述连接杆的摆动角度,以将所述加热部件移动至所述目标位置。
可选地,所述调节部件为可沿所述晶圆半径方向伸缩的伸缩杆,所述伸缩杆的一端与所述加热部件相连;
所述控制器,用于在所述中心温度与所述目标温度之间的温度差大于预设值时,调节所述伸缩杆的伸缩长度,以将所述加热部件移动至所述目标位置。
可选地,所述可移动加热装置的加热功率可调;
所述控制器,用于根据所述中心温度与所述目标温度之间的温度差,确定所述可移动加热装置的目标加热功率;
所述可移动加热装置,用于以所述目标加热功率对所述目标位置加热。
可选地,所述目标位置为介于所述晶圆中心位置和所述晶圆边缘之间的位置;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造