[发明专利]碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统在审
| 申请号： | 202011099175.4 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113512759A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 朴钟辉;梁殷寿;张炳圭;崔正宇;高上基;具甲烈;金政圭 | 申请（专利权）人： | SKC株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，在碳化硅晶锭的制造过程中，在使反应容器的内部空间减压以升温的步骤中，在特定内部空间的上部和下部之间形成温度差。通过根据本发明的碳化硅晶锭的制造方法，可以使作为碳化硅晶锭的后表面的籽晶面的损失最小化，并且可以制造具有较少缺陷和良好晶体质量的碳化硅晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 及其 制造 方法 用于 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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