[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括衬底、堆叠结构、多个沟道结构、多个环形阻挡结构、栅线缝隙及多个浮置触点结构。本发明在堆叠结构的非功能区域增加环形阻挡结构以保护环形阻挡结构内的电介质堆叠层中的牺牲层不被替换，并在被环形阻挡结构围绕的支架结构和/或虚设沟道孔中设置浮置触点结构，作为氢扩散的通道。本发明不增加新的工艺，只需在原有的光罩上增加图案即可，对堆叠层数增加后整体沟道结构的多晶硅沟道层增加了氢供应，并提高了氢扩散的均匀性，有助于提高产品性能稳定性，被环形阻挡结构围绕的支架结构还可以防止由于堆叠层数增加后牺牲层被去除后带来的结构坍塌。