[发明专利]横向扩散的MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202011083543.6 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114078969A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈正龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域、第二半导体区域中的源极区域和体接触区域。该半导体器件还包括在第二半导体区域中，横向位于源极区域和第一半导体区域之间的沟道区域、覆盖于沟道区域和第一半导体区域的一部分两者之上的栅极电介质层以及覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极。半导体器件还包括覆盖体接触区域的上表面和源极区域的侧表面的共形导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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