[发明专利]横向扩散的MOSFET及其制造方法

说明书

本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域、第二半导体区域中的源极区域和体接触区域。该半导体器件还包括在第二半导体区域中，横向位于源极区域和第一半导体区域之间的沟道区域、覆盖于沟道区域和第一半导体区域的一部分两者之上的栅极电介质层以及覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极。半导体器件还包括覆盖体接触区域的上表面和源极区域的侧表面的共形导电层。

技术领域

本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。

背景技术

LDMOS(横向扩散的金属氧化物半导体)是用于放大器(包括微波 功率放大器、RF功率放大器和音频功率放大器)的平面型双扩散的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。开发了各种技术来改善 LDMOS器件的性能或改善用于制造LDMOS器件的制造工艺。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方 面。注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为 了清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的集成电路(IC)器件的截面图。

图2是根据一些实施例的制造IC器件的方法的流程图。

图3A-图3L是根据一些实施例的IC器件的各种制造阶段的截面图。

图4A-图4C是根据一些实施例的LDMOS器件的截面图。

图5是根据一些实施例的IC器件的制造方法的流程图。

图6A-图6F是根据一些实施例的IC器件的各种制造阶段的截面图。

图7是根据一些实施例的图2的方法或图5的方法的变型的局部流程 图。

图8A-图8B是根据一些实施例的器件结构的某些早期阶段的截面 图。

图9A-图9C是根据一些实施例的LDMOS器件的截面图。

图10是根据一些实施例的LDMOS器件的截面图。

图11A-图11C和图12A-图12C是根据一些实施例的LDMOS器件的 截面图。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一半导 体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型；第二半导体区域，所述 第二半导体区域具有第二导电类型；源极区域，所述源极区域在所述第二 半导体区域中；沟道区域，所述沟道区域在所述第二半导体区域中，横向 位于所述源极区域和所述第一半导体区域之间；栅极电介质层，所述栅极 电介质层覆盖于所述沟道区域和所述第一半导体区域的一部分两者之上； 栅极电极，所述栅极电极覆盖于所述栅极电介质层之上；体接触区域，所 述体接触区域在所述第二半导体区域中；以及共形导电层，所述共形导电 层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极区域的侧表面。

根据本公开的另一实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，所述 方法包括：形成覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极，所述栅极电介质层 覆盖第二半导体区域中的沟道区域和第一半导体区域的一部分两者，其 中，所述第一半导体区域具有第一导电类型，并且所述第二半导体区域具 有第二导电类型；将第一类型掺杂剂注入到由硬掩模掩蔽的所述第二半导 体区域的暴露部分中，以在所述第二半导体区域中形成源极前体区域；形成间隔件，所述间隔件覆盖于所述源极前体区域之上并且具有与所述栅极 电极横向相邻的第一侧；通过至少由所述间隔件掩蔽的蚀刻工艺来使得所 述源极前体区域中的表面区域凹陷并形成源极区域；通过至少由所述间隔 件掩蔽的所述表面区域注入第二类型掺杂剂，以形成体接触区域；以及形 成共形导电层，所述共形导电层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极 区域的侧表面。