[发明专利]一种MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202011055266.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114334652A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邱凯兵;钟树理;杨涛涛;卢汉汉 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 姚章国 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET及其制造方法，制造方法包括：提供基底，在基底的表面上形成有掩膜层，掩膜层包括自下而上层叠的第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层为不同的材料层，在第一介质层中形成有第一开口，在第二介质层中形成有第二开口，第二开口露出第一开口，且第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸，在基底与第一开口相对的区域内形成有掺杂区，其中，第一开口基于光刻和刻蚀工艺形成的；以第二介质层为掩膜，刻蚀第一介质层，以在第一介质层和第二介质层中形成第二开口；以第一介质层和第二介质层为掩膜，通过第二离子注入，在掺杂区的外侧形成阱区，其中阱区具有第一导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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