[发明专利]一种MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供基底，在所述基底的表面上形成有掩膜层，所述掩膜层包括自下而上层叠的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层为不同的材料层，在所述第一介质层中形成有第一开口，在所述第二介质层中形成有第二开口，所述第二开口露出所述第一开口，且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，在所述基底与所述第一开口相对的区域内形成有掺杂区，其中，所述第一开口基于光刻和刻蚀工艺形成的；

以所述第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层和所述第二介质层中形成所述第二开口；

以所述第一介质层和所述第二介质层为掩膜，通过第二离子注入，在所述掺杂区的外侧形成阱区，其中所述阱区具有第一导电类型。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述阱区之后，所述制造方法还包括以下步骤：

去除所述第二介质层；

在所述第一介质层的侧壁形成侧墙；

进行源极掺杂区离子注入，以在所述掺杂区和所述阱区上形成源极掺杂区。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述掩膜层的方法，包括以下步骤：

在所述基底上依次沉积第一介质层、第二介质层和第三介质层，作为掩膜层，所述第一介质层和所述第二介质层为不同的材料层，所述第三介质层与所述第二介质层具有不同的材料；

通过光刻和刻蚀在所述掩膜层中形成第一开口，其中，所述第一开口露出所述基底的部分表面；

通过湿法刻蚀的方法，自所述第一开口中露出的第二介质层的侧壁向所述第一开口的外侧回蚀刻部分宽度的所述第二介质层，以在所述第二介质层中形成第二开口，其中，所述湿法刻蚀对所述第二介质层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率；

去除所述第三介质层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂区的方法，包括：

在形成所述第一开口之后，所述湿法刻蚀之前，或者，在所述湿法刻蚀之后，以所述掩膜层为掩膜，进行第一离子注入，以在与所述第一开口相对的基底的部分区域内形成掺杂区，其中所述掺杂区具有第一导电类型。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二开口的中心轴和所述第一开口的中心轴位于同一直线上；和/或

所述第二开口的尺寸比所述第一开口的尺寸大1.2μm～2.4μm。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述掩膜层的方法，包括以下步骤：

在所述基底上依次沉积第一介质层、第二介质层，作为掩膜层，所述第一介质层和所述第二介质层为不同的材料层，

通过光刻工艺，在所述第二介质层上形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，湿法刻蚀所述第二介质层，以在第二介质层中第二开口，其中，所述第二开口的尺寸大于图案化的光刻胶层的开口区域的尺寸；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，干法刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层中形成第一开口，其中，所述第一开口的尺寸和所述图案化的光刻胶层的开口区域的尺寸相同；

去除所述图案化的光刻胶层。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂区的方法，包括：

在去除所述光刻胶层之后，以所述第一介质层为掩膜，进行第一离子注入，以在与所述第一开口相对的基底的部分区域内形成掺杂区，其中所述掺杂区具有第一导电类型。

8.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述第一介质层的侧壁形成侧墙，包括：

通过氧化工艺，至少对所述第一介质层的侧壁进行氧化，以形成所述侧墙。