[发明专利]半导体晶圆的制程方法在审
| 申请号： | 202011033748.3 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112750697A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 曾李全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体晶圆的制程方法。该方法包括将一制程气体供应至含有一半导体晶圆的一蚀刻腔室中。该方法亦包括侦测该蚀刻腔室中的一压力。该方法进一步包括通过根据由压力感测器产生的与该蚀刻腔室中的一压力有关的一数据调整一阀的一开启比例来调节来自该蚀刻腔室的一废气流。另外，该方法包括基于该阀的该开启比例来判定一蚀刻终点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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