[发明专利]钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。