[发明专利]钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路有效
| 申请号： | 202011025266.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112234805B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 袁远东;刘金虎;邹其峰;王晓飞;刘型志 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学;国网重庆市电力公司营销服务中心;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;王晓晓 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钳位源级 驱动 碳化硅 半导体 场效应 电路 | ||
1.一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和增强型的碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；
所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断；
所述硅MOS管为NMOS管；
所述NMOS管的栅极输入电压信号，所述NMOS管的漏极通过所述驱动芯片的SOURCE端与所述碳化硅MOS管的源极连接，所述NMOS管的源极通过所述驱动芯片的CS端接地；
所述碳化硅MOS管的栅极与所述驱动芯片的GATE端连接；
所述驱动芯片的GATE端为所述碳化硅MOS管的栅极提供固定的钳位电压，以在所述NMOS管关断时使得所述碳化硅MOS管的栅极与源极之间形成固定的负电压差。
2.根据权利要求1所述的钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，其特征在于，所述驱动芯片的GATE端通过钳位二极管接地。
3.根据权利要求1所述的钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，其特征在于，所述钳位电压为15V。
4.根据权利要求3所述的钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，其特征在于，所述NMOS管的栅极输入的电压信号为0V～5V的方波。
5.根据权利要求4所述的钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，其特征在于，在所述NMOS管关断时，所述碳化硅MOS管的栅极与源极的电压差为-5V。
6.一种ACDC反激式转换器，其特征在于，包括权利要求1-5中任意一项所述的钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
