[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202011013779.2 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635298A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 西影治彦;宫本佳典;细川泰伸 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张思宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体元件的制造方法，其能够提高成品率。半导体元件的制造方法具备：准备晶圆(10)的工序，晶圆在上表面(15)包含第一区域(11)和第二区域(12)，第二区域设于第一区域的周围并位于比第一区域低的位置；在晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层(20)的工序。在俯视时，第一区域在第一方向上的端部具有延伸突出部(11b)，第一方向是通过晶圆的中心并且与半导体层的m轴平行的方向，延伸突出部向从晶圆的中心朝向晶圆的端缘侧的方向延伸突出。延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面(12c)，第三方向是相对于与晶圆的第一方向上的端缘的第一切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
