[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

本发明提供半导体元件的制造方法，其能够提高成品率。半导体元件的制造方法具备：准备晶圆(10)的工序，晶圆在上表面(15)包含第一区域(11)和第二区域(12)，第二区域设于第一区域的周围并位于比第一区域低的位置；在晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层(20)的工序。在俯视时，第一区域在第一方向上的端部具有延伸突出部(11b)，第一方向是通过晶圆的中心并且与半导体层的m轴平行的方向，延伸突出部向从晶圆的中心朝向晶圆的端缘侧的方向延伸突出。延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面(12c)，第三方向是相对于与晶圆的第一方向上的端缘的第一切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。

技术领域

本发明涉及半导体元件的制造方法。

背景技术

作为制造发光二极管(Light Emitting Diode：LED)等半导体元件的一个方法，例如在专利文献1中公开了使半导体层在作为蓝宝石基板等生长基板的晶圆上生长，之后与支承基板贴合的方法。在这种半导体元件的制造方法中，在使半导体层生长时，有时会在半导体层产生裂纹。此外，有时会由于半导体层的上表面的平坦性受损而导致半导体元件的制造方法中的成品率降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/161975号

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一实施方式是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种能够减少在半导体层产生的裂纹的影响、并且能够通过使半导体层的上表面平坦来提高成品率的半导体元件的制造方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一实施方式的半导体元件的制造方法具备：准备晶圆的工序，该晶圆在上表面包含第一区域和第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的周围，并位于比所述第一区域低的位置；在所述晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层的工序。在俯视时，所述第一区域在第一方向上的端部具有延伸突出部，所述第一方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的m轴平行的方向，所述延伸突出部向从所述晶圆的所述中心朝向所述晶圆的端缘侧的方向延伸突出。所述延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面，所述第三方向是相对于与所述晶圆的所述第一方向上的端缘的切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。

本发明的一实施方式的半导体元件的制造方法具备：准备晶圆的工序，该晶圆在上表面包含第一区域和第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的周围，并位于比所述第一区域低的位置；在所述晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层的工序。在俯视时，所述第二区域在第一方向上的端部具有延伸突出部，所述第一方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的m轴平行的方向，所述延伸突出部向从所述晶圆的端缘侧朝向所述晶圆的所述中心的方向延伸突出。所述延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面，所述第三方向是相对于与所述晶圆的所述第一方向上的端缘的切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。

发明效果

根据本发明的一实施方式，能够实现如下半导体元件的制造方法：其能够减少在半导体层产生的裂纹的影响，并且能够通过使半导体层的上表面平坦来提高成品率。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体元件的制造方法的流程图。

图2A是表示第一实施方式的晶圆的俯视图。

图2B是沿着图2A所示的第一方向的部分端面图。

图2C是沿着图2A所示的第五方向的部分端面图。

图3是表示第一实施方式的晶圆的局部放大俯视图。

图4A是表示第一实施方式中的晶圆以及半导体层的俯视图。