[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202011001446.8 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN111933689B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 宋富冉;周儒领;蔡君正;许宗能 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；形成多个沟槽于所述衬底中；形成填充层于所述沟槽中，且所述填充层覆盖所述垫氮化层；对所述填充层进行平坦化处理，以暴露出所述垫氮化层；通过湿法刻蚀移除部分所述填充层和所述垫氮化层，以形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述衬底隔离成多个有源区，所述浅沟槽隔离结构顶部靠近所述有源区的区域具有凹陷结构；形成多晶硅层于所述衬底上，以在所述凹陷结构内形成多晶硅侧墙；移除所述垫氧化层，以暴露出所述衬底，并将所述衬底放置在炉体内，以对所述多晶硅侧墙和暴露的所述衬底进行氧化。本发明提出的半导体结构可以避免漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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