[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；

形成多个沟槽于所述衬底中；

形成填充层于所述沟槽中，且所述填充层覆盖所述垫氮化层；

对所述填充层进行平坦化处理，以暴露出所述垫氮化层；

通过湿法刻蚀移除部分所述填充层和所述垫氮化层，以形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述衬底隔离成多个有源区，所述浅沟槽隔离结构顶部靠近所述有源区的区域具有凹陷结构；

形成多晶硅层于所述衬底上，以在所述凹陷结构内形成多晶硅侧墙，所述多晶硅侧墙覆盖所述凹陷结构；

移除所述垫氧化层，以暴露出所述衬底，并将所述衬底放置在炉体内，以对所述多晶硅侧墙和暴露的所述衬底进行氧化；

其中，所述多晶硅侧墙的厚度小于暴露出的所述衬底被氧化的深度；

其中，暴露的所述衬底被氧化后，形成栅极氧化层；

其中，所述多晶硅侧墙被氧化成氧化层，所述栅极氧化层接触所述氧化层；

其中，所述多晶硅层内包括氧化夹层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺形成所述沟槽，所述沟槽从所述垫氮化层延伸至所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述填充层的步骤包括：

将所述衬底放置在腔体内；

向所述腔体内通入含硅前驱体和含氧前驱体，并对所述腔体进行加热，以形成所述填充层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过化学机械研磨工艺对所述填充层进行平坦化处理。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过氢氟酸溶液移除部分所述填充层和所述垫氮化层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成多晶硅层于所述衬底上，以在所述凹陷结构内形成多晶硅侧墙的步骤包括：

通过化学气相沉积工艺在所述衬底上形成所述多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述有源区和所述浅沟槽隔离结构；

通过干法刻蚀工艺移除位于所述有源区上及所述浅沟槽隔离结构顶部的所述多晶硅层，保留位于所述凹陷结构内的所述多晶硅层，以形成所述多晶硅侧墙。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺以所述垫氧化层为刻蚀停止层。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷结构与所述有源区之间还具有部分所述填充层。

9.根据权利要求1-8任一所述的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

多个浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，所述多个浅沟槽隔离结构在所述衬底内隔离出多个有源区；

栅极氧化层，位于所述有源区上。