[发明专利]一种异质结双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010993656.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114256071A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 季明华;张汝京 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，采用鳍替换技术，在衬底上形成鳍结构并在衬底中形成作为集电区的阱区，鳍片的底部连接到用作集电极的阱区。去除阱区对应的鳍片的第一部分，即挖空部分鳍片形成第一开口，然后沉积基区材料形成基极鳍，去除阱区对应的鳍片的剩余部分，即挖空鳍片的剩余部分形成第二开口，然后沉积基区，然后在基区上方形成发射区。分别在基极鳍和发射区外侧形成基区外延盖帽层和发射区外延盖帽层。上述方法过易于集成到FinFET技术平台上。本发明的异质结双极晶体管的等效的基极和集电极电阻较小，并且晶体管的漏电流低，电学性能优异。并且易于与FinFET器件集成，提高了器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010993656.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏电性能测试仪器
- 下一篇：一种超导磁体失超过程的有限元分析方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
