[发明专利]具有多个外延反应腔的联合生长系统、操作方法、装备、制得的芯片及其应用

摘要

本发明属半导体材料的生产制备技术领域，公开了具有多个外延反应腔的联合生长系统、操作方法、装备、制得的芯片及其应用。采用专用的MOCVD机，在衬底上依次进行III‑V族化合物外延片和II‑VI族化合物外延片的生长，且设定若干个III‑V族化合物反应腔依次启动间隔时长a与II‑VI族化合物外延片的生长时长y相等，采用多腔式分步骤，既使得III‑V族化合物和II‑VI族化合物分别在反应腔体内得到了更为有效的沉积，也实现了分时复用、分段工艺的有效集成和产能匹配。同时还提供了一种具有多反应腔的外延联合生长装备，包括第一生长装置、推送装置和第二生长装置，所述推送装置内设有传动臂。本发明在保证生产持续的条件下达到了MOCVD机和各反应腔的利用最大化，应用前景广泛。