[发明专利]具有多个外延反应腔的联合生长系统、操作方法、装备、制得的芯片及其应用

权利要求书

1.一种具有多个外延反应腔的联合生长系统的操作方法，其特征在于，所述联合生长系统，包括

第一生长装置，所述第一生长装置为用于制备III-V族化合物的MOCVD机，该MOCVD机内设III-V族化合物反应腔，所述III-V族化合物反应腔的数量为若干个，所述III-V族化合物反应腔用于制备III-V族化合物外延片；

第二生长装置，所述第二生长装置为用于制备II-VI族化合物的MOCVD机，该MOCVD机内设II-VI族化合物反应腔，所述II-VI族化合物反应腔用于制备II-VI族化合物外延片；

传送装置；

所述若干个III-V族化合物反应腔先后按照相同的间隔时长依次启动工作，设定所述间隔时长为a，a＞0，所述III-V族化合物外延片的生长时长为x，x＞0，所述II-VI族化合物外延片的生长时长为y，y＞0，需满足a＝y；

设定III-V族化合物反应腔的数量为n，且n为大于0的整数，所述操作方法包括以下步骤：

1)制备III-V族化合物外延片：取衬底并置于所述III-V族化合物反应腔中，令i的初始值为1，i的取值范围为[1，n]，启动第i个III-V族化合物反应腔后，经过至少(i-1)y的时长，启动第i个III-V族化合物反应腔，在所有的III-V族化合物反应腔的衬底表面，分别得到III-V族化合物外延片；

2)传送装置开始工作，i的值增加1，经过至少x+(i-1)y的时长，将第i个III-V族化合物反应腔所得的III-V族化合物外延片转移至第二生长装置中的II-VI族化合物反应腔中；

3)制备芯片：在II-VI族化合物反应腔工作后，经过至少x+iy的时长得到III-V族化合物外延片表面覆盖有II-VI族化合物外延片的芯片；

4)将II-VI族化合物反应腔中所得的芯片移出，向空置的III-V族化合物反应腔中补充衬底；

5)当i≠n时回到步骤2)，当i＝n时将i的值设为1并回到步骤2)；或待剩余的III-V族化合物反应腔中生成的III-V族化合物全部依次转移至II-VI族化合物反应腔中并制得芯片时，即完成反应。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述II-VI族化合物反应腔的数量为1个。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述III-V族化合物反应腔的数量n与x和y之间满足：当x/y的值为正整数时，n＝x/y；当x/y的值为非正整数时，n＝x/y且采用进一法对n进行取值。

4.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述II-VI族化合物反应腔和所述III-V族化合物反应腔中均设有托盘；所述托盘为石墨盘；在步骤1)和步骤3)之间，还包括退火处理，所述退火处理包括炉内退火，采用的退火炉为P型退火炉；步骤3)中，在II-VI族化合物反应腔开始工作前，还包括对II-VI族化合物反应腔进行预热处理；所述步骤3)和步骤4)之间还包括对托盘进行烘烤处理；步骤4)和步骤5)之间还包括暂停处理，所述暂停处理的时长大于0。