[发明专利]一种镍碳泡沫制备3D网状碳化硅纳米线的方法

摘要

本发明涉及一种镍碳泡沫制备3D网状碳化硅纳米线的方法，利用化学气相沉积法在等温立式炉中低温制备含有大量碳化硅纳米线3D网络状结构的简易方法，本方法以三氯甲基硅烷为前驱体，镍碳泡沫为生长纳米线的基体，在1150‑1250℃下，镍熔融形成液滴，纳米线中的碳和硅元素不断溶于镍液滴中，达到饱和后不断析出，从而在镍碳泡沫的内部及表面生长出网状碳化硅纳米线。本发明实现了3D网状碳化硅纳米线的简易制备，并且制备温度低，经济性好，具有广阔运用前景。