[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器有效
| 申请号： | 202010962769.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112054116B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 寇煦丰;孙璐;张勇;薛丰铧 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/20;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 iii 族窄禁带 半导体 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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