[发明专利]制造半导体结构及可控制氧化层厚度的方法在审
| 申请号： | 202010949573.4 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112670155A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 孙文堂;黎俊霄 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了制造半导体结构的方法，包括于晶圆上产生第一氧化层；于该第一氧化层上产生氮化硅层；产生复数个沟槽；以氧化材料填补该复数个沟槽以形成复数个浅沟槽隔离区；移除该氮化硅层且不移除该第一氧化层；使用光罩以施加光阻，以于第一区域遮盖该第一氧化层的第一部分，且于第二区域露出该第一氧化层的第二部分；及移除该第一氧化层的该第二部分，且保留该第一氧化层的该第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 控制 氧化 厚度 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
