[发明专利]光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及电子设备在审
| 申请号： | 202010948688.1 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN114167692A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 梁时元;贺晓彬;丁明正;刘强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及其制作方法、电子设备，所述光刻对准结构包括：形成在晶圆划片道上的对准标记；以及形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。本公开提供的光刻对准结构，使得在多层光刻工艺中，下方工艺上形成的对准标记在其上方形成辅助图形的工艺之后也能使用。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 结构 方法 半导体 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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