[发明专利]光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及电子设备

说明书

本公开提供一种光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及其制作方法、电子设备，所述光刻对准结构包括：形成在晶圆划片道上的对准标记；以及形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。本公开提供的光刻对准结构，使得在多层光刻工艺中，下方工艺上形成的对准标记在其上方形成辅助图形的工艺之后也能使用。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及其制作方法、电子设备。

背景技术

半导体存储器制造过程中，光刻是一个重要的工艺流程，其通过涂覆光刻胶和曝光将设计的图形通过光刻胶复制到晶圆上。在光刻过程中，对准通常是在晶圆上设置对准标记。

通过半导体制造工艺做出的晶圆，为了能够切割出单个的芯片，在晶圆上设置有划片道(scribe lane)。光刻用到的对准标记往往会设计在划片道中。在下一膜层工艺中，可能会用到平坦化工艺(例如化学机械研磨CMP)，为了防止平坦化工艺受到影响，需要在划片道中形成辅助图形(dummy pattern)，用以减少划片道中无图形区域，辅助图形常设置成四角形或条形，如图1所示。

然而现有的辅助图形排列方式，将会使在之前的工艺上形成的对准标记无法使用。

发明内容

本公开的目的是提供一种光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及其制作方法、电子设备。

本公开第一方面提供一种光刻对准结构，包括：

形成在晶圆划片道上的对准标记；以及

形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。

本公开第二方面提供一种光刻对准方法，包括：

提供半导体晶圆；

在所述晶圆的划片道上形成对准标记；

在所述对准标记上形成用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内；

通过测量所述对准标记以确定曝光位置。

本公开第三方面提供一种半导体存储器的制作方法，包括：第二方面中所述的光刻对准方法。

本公开第四方面提供一种根据第三方面所述的制作方法制作的半导体存储器。

本公开第五方面提供一种电子设备，包括：

如第四方面中所述的半导体存储器。

本公开与现有技术相比的优点在于：

本公开提供的光刻对准结构，使得在多层光刻工艺中，下方工艺上形成的对准标记在其上方形成辅助图形的工艺之后也能使用。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了现有技术中的在对准标记上形成的用于平坦化的辅助图形的示意图；

图2示出了本公开所提供的一种光刻对准结构的示意图；

图3A示出了图2中的单独的对准标记的示意图；

图3B示出了图2中的单独的辅助图形的示意图；

图4示出了本公开所提供的一种光刻对准方法的流程图。

具体实施方式