[发明专利]光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及电子设备在审
| 申请号： | 202010948688.1 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN114167692A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 梁时元;贺晓彬;丁明正;刘强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 结构 方法 半导体 存储器 电子设备 | ||
1.一种光刻对准结构，其特征在于，包括：
形成在晶圆划片道上的对准标记；以及
形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。
2.根据权利要求1所述的光刻对准结构，其特征在于，所述对准标记包括多个相互间隔的对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行；
所述辅助图形包括多个相互间隔的辅助单元，所述辅助单元与所述对准单元一一对应，且所述对准单元嵌套于所述辅助单元内。
3.根据权利要求2所述的光刻对准结构，其特征在于，所述辅助单元与所述对准单元的形状相同。
4.根据权利要求3所述的光刻对准结构，其特征在于，所述辅助单元与所述对准单元两者相邻边之间的距离的范围为100纳米至500纳米。
5.一种光刻对准方法，其特征在于，包括：
提供半导体晶圆；
在所述晶圆的划片道上形成对准标记；
在所述对准标记上形成用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内；
通过测量所述对准标记以确定曝光位置。
6.根据权利要求5所述的光刻对准方法，其特征在于，所述对准标记包括多个相互间隔的对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行；
所述辅助图形包括多个相互间隔的辅助单元，所述辅助单元与所述对准单元一一对应，且所述对准单元嵌套于所述辅助单元内。
7.一种半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括权利要求5至6中任一项所述的光刻对准方法。
8.一种根据权利要求7所述的制作方法制作的半导体存储器。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
如权利要求8所述的半导体存储器。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。
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