[发明专利]一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法，包括：位于埋氧层上的半导体材料层和栅极，设置于串联器件的有源区与栅极相交的边缘，并沿栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区；设置于串联器件最外侧的浅槽隔离区；设置于串联器件的有源区与栅极不相交的边缘的体接触区，设置于半导体材料层表面的导通层，所述导通层覆盖短接所述体接触区和相邻的源区，以使所述体接触区域与相邻的源区共用导电接触孔。本发明提供的器结构件及方法，用以解决现有技术中的串联SOI MOSFET器件芯片面积开销大和布线复杂的技术问题。实现了减少面积占用和减少布线复杂度的技术效果。