[发明专利]衬底结构和用于制造半导体封装的方法在审

专利信息
申请号: 202010893820.3 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112599489A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 廖顺兴 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/768
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 萧辅宽
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开涉及一种衬底结构和一种用于制造半导体封装的方法。所述衬底结构包含芯片附着区域和围绕所述芯片附着区域的上部板边。所述上部板边包含上部应力释放结构和上部加强结构。所述上部应力释放结构围绕上部芯片附着区域。所述上部加强结构围绕所述上部应力释放结构。所述上部应力释放结构的应力释放能力大于所述上部加强结构的应力释放能力。所述上部加强结构的结构强度大于所述上部应力释放结构的结构强度。
搜索关键词: 衬底 结构 用于 制造 半导体 封装 方法
【主权项】:
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