[发明专利]衬底结构和用于制造半导体封装的方法

说明书

本公开涉及一种衬底结构和一种用于制造半导体封装的方法。所述衬底结构包含芯片附着区域和围绕所述芯片附着区域的上部板边。所述上部板边包含上部应力释放结构和上部加强结构。所述上部应力释放结构围绕上部芯片附着区域。所述上部加强结构围绕所述上部应力释放结构。所述上部应力释放结构的应力释放能力大于所述上部加强结构的应力释放能力。所述上部加强结构的结构强度大于所述上部应力释放结构的结构强度。

技术领域

本公开大体来说涉及一种衬底结构和一种用于制造半导体封装的方法，且涉及一种具有小翘曲的衬底结构和一种使用所述衬底结构来制造半导体封装的方法。

背景技术

半导体产业中的设计趋势包含半导体产品的重量减小和小型化。然而，用于重量减小和小型化的技术可能导致制造问题。举例来说，较薄的半导体衬底由于较大翘曲而难以处理(handle)。因此，所述半导体产品的成品率较低。因此，在制造工艺期间减小半导体衬底的翘曲是至关重要的问题。

发明内容

根据本公开的一方面，一种衬底结构包含芯片附着区域和围绕所述芯片附着区域的上部板边。所述上部板边包含上部应力释放结构和上部加强结构。所述上部应力释放结构围绕所述上部芯片附着区域。所述上部加强结构围绕所述上部应力释放结构。所述上部应力释放结构的应力释放能力大于所述上部加强结构的应力释放能力。所述上部加强结构的结构强度大于所述上部应力释放结构的结构强度。

根据本公开的一方面，一种衬底结构包含第一结构和第二结构。所述第一结构位于围绕芯片附着区域的第一区中。第一占据比率定义为由俯视看的所述第一结构的面积与由俯视看的整个第一区的面积的比率。所述第二结构位于围绕所述第一区的第二区中。第二占据比率定义为由俯视看的所述第二结构的面积与由俯视看的整个第二区的面积的比率。所述第二占据比率不同于所述第一占据比率。

根据本公开的另一方面，一种用于制造半导体封装的方法包含：(a)提供衬底结构，其中所述衬底结构包含芯片附着区域和围绕所述芯片附着区域的上部板边，所述上部板边包含上部应力释放结构和上部加强结构，所述上部应力释放结构围绕所述上部芯片附着区域，所述上部加强结构围绕所述上部应力释放结构，其中所述上部应力释放结构的应力释放能力大于所述上部加强结构的应力释放能力，且所述上部加强结构的结构强度大于所述上部应力释放结构的结构强度；(b)将至少一个半导体芯片附着到所述芯片附着区域；和(c)形成封装体以覆盖所述至少一个半导体芯片。

附图说明

图1说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的俯视图。

图2说明沿图1中的区“A”中的线2-2截取的放大截面视图。

图3说明图1的衬底结构的俯视图，其中出于清楚说明的目的省略上部阻焊层和下部阻焊层。

图4说明图3中的区“B”的放大视图。

图5说明沿图4中的线5-5截取的放大截面视图。

图6说明图1的衬底结构的仰视图，其中出于清楚说明的目的省略覆盖下部板边的下部阻焊层的一部分。

图7说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的俯视图。

图8说明沿图7中的区“C”中的线8-8截取的放大截面视图。

图9说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的俯视图。

图10说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的俯视图。

图11说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的放大截面视图。

图12说明图11的衬底结构的仰视图。

图13说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的仰视图。

图14说明根据本公开的一些实施例的衬底结构的部分放大视图。