[发明专利]光学准直器、半导体装置及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010885422.7 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN112687708A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 陈信宇;翁睿均;潘汉宗;张佑诚;黎俊朋;陈信桦;邱俊杰;刘彦江;许希丞;胡景翔;洪嘉骏;李佳烜;杜立扬;拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普;吴威鼎;蒋季宏 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G06K9/00;G02B27/30
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 傅磊;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法。在一实施例中,光学准直器包含:介电层;基底;以及多个通孔,其中介电层形成于基底上方,其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列,其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面,其中基底具有整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm‑3和第一厚度,且其中基底的整体杂质掺杂浓度和第一厚度被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
搜索关键词: 光学 准直器 半导体 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
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