[发明专利]一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010871123.8 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111900209A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志;张本义;钟健 | 申请（专利权）人： | 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 罗恒兰 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管及其制备方法，其在双沟槽栅极MOSFET器件中采用双层外延工艺，分散栅极绝缘膜的电埸强度，在沟槽底部形成高浓度掺杂p+型体层，以保护栅区底部表面的绝缘膜。此外，直接通过LPCVD在高温下将N2O气体在沟槽侧壁氧化绝缘层的方法，以减少缺陷并固定厚度，从而提高性能，生产高度可靠的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结构 碳化硅 氧化物 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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