[发明专利]光刻对准标记、光刻对准方法以及半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 202010858492.3 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111916427A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王哲忠;叶峻玮 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻对准标记、光刻对准方法以及半导体器件制备方法，通过设置位于衬底上的前层结构，该前层结构中形成有沿第一方向相互平行且间隔排列的第一对准标记；位于前层结构上的覆盖结构，该覆盖结构中形成有多个沿第二方向相互平行的条形开口，其中，第一方向与第二方向不同，条形开口的延伸方向与第一对准标记的延伸方向呈夹角，且条形开口与第一对准标记部分重叠，以使得条形开口与第一对准标记的重叠部分作为光刻对准标记。通过设置与第一对准标记延伸方向呈夹角的多个、较小开口宽度的条形开口，可以有效避免后制程中在光刻对准区域上沉积材料层形成凹陷，避免化学机械研磨中对对准标记的损坏，以及滤除非检测方向上的信号干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 方法 以及 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
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