[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010848727.0 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN114078764A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李玉坤;陈涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个彼此独立的沟槽；等离子体注入，在相邻沟槽之间形成阻挡层；在所述沟槽内形成栅极结构；在所述半导体衬底内形成沟道区，所述沟道区与所述沟槽对应；在所述沟槽与所述阻挡层之间，形成源漏区，所述源漏区与所述沟道区电连接，所述阻挡层的导电类型与所述源漏区的导电类型相反。本发明优点是，无需形成浅沟槽隔离结构，通过等离子体注入形成的阻挡层作为相邻晶体管的源漏区的隔离层，由于源漏区与阻挡层注入的是反型离子，因此在源漏区与阻挡层之间形成PN结，PN结的内建电场可以阻止电子的扩散，进而起到了隔离的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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